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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDB2570
FDB2570 Image
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FDB2570 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDB2570
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDB2570
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 22A TO263AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FDB2570, FDP2570.pdf
vorrätig: 5170

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Spezifikation

FDB2570 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDB2570 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDB2570

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 11A, 10V  
Verlustleistung (max) 93W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1911 pF @ 75 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Ta)  
Grundproduktnummer FDB257  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDB2570.

Produkteigenschaften FDB2570 FDB2710 FDB2670 FDB2532
Artikelnummer FDB2570 FDB2710 FDB2670 FDB2532
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1911 pF @ 75 V 7280 pF @ 25 V 1320 pF @ 100 V 5870 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 93W (Tc) 260W (Tc) 93W (Tc) 310W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 101 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Grundproduktnummer FDB257 FDB271 FDB267 FDB253
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 250 V 200 V 150 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 10V 6V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Ta) 50A (Tc) 19A (Ta) 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 11A, 10V 42.5mOhm @ 25A, 10V 130mOhm @ 10A, 10V 16mOhm @ 33A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

FDB2570 Datenblatt PDF

Laden Sie FDB2570 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDB2570 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FDB2570, FDP2570.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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