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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDB8441-F085
FDB8441-F085 Image
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FDB8441-F085 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDB8441-F085
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDB8441-F085
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FDB8441-F085.pdf
vorrätig: 5190

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Spezifikation

FDB8441-F085 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDB8441-F085 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDB8441-F085

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 80A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Ta), 80A (Tc)  
Grundproduktnummer FDB844  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDB8441-F085.

Produkteigenschaften FDB8441-F085 FDB7042L FDB8132_F085 FDB8160
Artikelnummer FDB8441-F085 FDB7042L FDB8132_F085 FDB8160
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2V @ 250mA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Grundproduktnummer FDB844 - FDB813 FDB816
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 83W (Ta) 341W (Tc) 254W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) TO-263AB D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±12V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 30 V 30 V 30 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 25 V 2418 pF @ 15 V 14100 pF @ 15 V 11825 pF @ 15 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 80A, 10V 7.5mOhm @ 25A, 10V 1.6mOhm @ 80A, 10V 1.8mOhm @ 80A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Ta), 80A (Tc) 50A (Ta) 80A (Tc) 80A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280 nC @ 10 V 51 nC @ 4.5 V 350 nC @ 13 V 243 nC @ 10 V
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® PowerTrench®

FDB8441-F085 Datenblatt PDF

Laden Sie FDB8441-F085 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDB8441-F085 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Teilenummer
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018.pdf Multiple Devices 13/Aug/2010.pdf EOL NOTICE 30/Mar/2023.pdf
Datenblätter
FDB8441-F085.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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