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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDB8453LZ
FDB8453LZ Image
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FDB8453LZ - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDB8453LZ
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDB8453LZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 16.1A/50A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FDB8453LZ.pdf
vorrätig: 4060

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Anzahl

Spezifikation

FDB8453LZ Tech -Spezifikationen
onsemi - FDB8453LZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDB8453LZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 17.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 66W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3545 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16.1A (Ta), 50A (Tc)  
Grundproduktnummer FDB845  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDB8453LZ.

Produkteigenschaften FDB8453LZ FDB8443 FDB86102LZ FDB8447L
Artikelnummer FDB8453LZ FDB8443 FDB86102LZ FDB8447L
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 100 V 40 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 17.6A, 10V 3mOhm @ 80A, 10V 24mOhm @ 8.3A, 10V 8.5mOhm @ 14A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16.1A (Ta), 50A (Tc) 25A (Ta), 120A (Tc) 8.3A (Ta), 30A (Tc) 15A (Ta), 50A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 66W (Tc) 188W (Tc) 3.1W (Ta) 3.1W (Ta), 60W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3545 pF @ 20 V 9310 pF @ 25 V 1275 pF @ 50 V 2620 pF @ 20 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V
Grundproduktnummer FDB845 - - FDB8447
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)

FDB8453LZ Datenblatt PDF

Laden Sie FDB8453LZ PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDB8453LZ - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FDB8453LZ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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