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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDB86363-F085
FDB86363-F085 Image
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FDB86363-F085 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDB86363-F085
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDB86363-F085
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FDB86363-F085.pdf
RoHS Status
vorrätig: 10216

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Anzahl

Spezifikation

FDB86363-F085 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDB86363-F085 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDB86363-F085

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 80A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10000 pF @ 40 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 110A (Tc)  
Grundproduktnummer FDB86363  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDB86363-F085.

Produkteigenschaften FDB86363-F085 FDB86102LZ FDB8832 FDB86569-F085
Artikelnummer FDB86363-F085 FDB86102LZ FDB8832 FDB86569-F085
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10000 pF @ 40 V 1275 pF @ 50 V 11400 pF @ 15 V 2520 pF @ 30 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 100 V 30 V 60 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 110A (Tc) 8.3A (Ta), 30A (Tc) 34A (Ta), 80A (Tc) 80A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 80A, 10V 24mOhm @ 8.3A, 10V 1.9mOhm @ 80A, 10V 5.6mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Grundproduktnummer FDB86363 - FDB883 FDB86569
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 265 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 3.1W (Ta) 300W (Tc) 94W (Tj)

FDB86363-F085 Datenblatt PDF

Laden Sie FDB86363-F085 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDB86363-F085 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Teilenummer
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Mar/2023.pdf
Datenblätter
FDB86363-F085.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
FDWS8636x/FDBL86x 31/Mar/2022.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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