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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDB8870
FDB8870 Image
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FDB8870 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDB8870
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDB8870
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FDB8870.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3820

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Anzahl

Spezifikation

FDB8870 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDB8870 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDB8870

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 35A, 10V  
Verlustleistung (max) 160W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5200 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 132 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Ta), 160A (Tc)  
Grundproduktnummer FDB887  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDB8870.

Produkteigenschaften FDB8870 FDB8876 FDB86566-F085 FDB8870
Artikelnummer FDB8870 FDB8876 FDB86566-F085 FDB8870
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 60 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 35A, 10V 8.5mOhm @ 40A, 10V 2.7mOhm @ 80A, 10V 3.9mOhm @ 35A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Ta), 160A (Tc) 71A (Tc) 110A (Tc) 23A (Ta), 160A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer FDB887 FDB887 FDB86566 -
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie PowerTrench® PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® PowerTrench®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 132 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 132 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5200 pF @ 15 V 1700 pF @ 15 V 6655 pF @ 30 V 5200 pF @ 15 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 160W (Tc) 70W (Tc) 176W (Tj) 160W (Tc)

FDB8870 Datenblatt PDF

Laden Sie FDB8870 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDB8870 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly/Material Chgs 15/Mar/2018.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
Datenblätter
FDB8870.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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