FDC2612 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDC2612 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDC2612

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	onsemi
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SuperSOT™-6
Serie	PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	725mOhm @ 1.1A, 10V
Verlustleistung (max)	1.6W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	234 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.1A (Ta)
Grundproduktnummer	FDC2612

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDC2612.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	FDC2612	FDC30N20DZ	FDC2512	FDC3535
Hersteller	onsemi	onsemi	onsemi	onsemi
Typ FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs	725mOhm @ 1.1A, 10V	31mOhm @ 4.6A, 10V	425mOhm @ 1.4A, 10V	183mOhm @ 2.1A, 10V
FET-Merkmal	-	-	-	-
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	3V @ 250µA	4V @ 250µA	3V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V	30 V	150 V	80 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.1A (Ta)	4.6A (Ta)	1.4A (Ta)	2.1A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse	SuperSOT™-6	SuperSOT™-6	SuperSOT™-6	SuperSOT™-6
Verlustleistung (max)	1.6W (Ta)	960mW (Ta)	1.6W (Ta)	1.6W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	4.5V, 10V	6V, 10V	4.5V, 10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer	FDC2612	FDC30N20	FDC2512	FDC3535
Paket	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max)	±20V	±20V	±20V	±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	234 pF @ 100 V	535 pF @ 15 V	344 pF @ 75 V	880 pF @ 40 V
Serie	PowerTrench®	-	PowerTrench®	PowerTrench®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 10 V	7.9 nC @ 10 V	11 nC @ 10 V	20 nC @ 10 V

FDC2612 Datenblatt PDF

Laden Sie FDC2612 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDC2612 - onsemi herunter.

Umweltinformationen: onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung: Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Marking Change 07/Oct/2022.pdf
PCN -Design/Spezifikation: Marking Change 07/Oct/2022.pdf Marking Change 17/Nov/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft: Mult Dev A/T Chgs 13/Dec/2021.pdf
Datenblätter: FDC2612.pdf

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Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
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Ozeanien	Neuseeland	5
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Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

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0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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