FDC5614P Tech -Spezifikationen
onsemi - FDC5614P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDC5614P

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	onsemi
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SuperSOT™-6
Serie	PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)	1.6W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	759 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3A (Ta)
Grundproduktnummer	FDC5614

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDC5614P.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	FDC5614P	FDC5612	FDC5661N	FDC5661N-F085
Hersteller	onsemi	onsemi	Fairchild Semiconductor	onsemi
FET-Merkmal	-	-	-	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	6V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Verlustleistung (max)	1.6W (Ta)	1.6W (Ta)	1.6W (Ta)	1.6W (Ta)
Typ FET	P-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	4V @ 250µA	3V @ 250µA	3V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3A (Ta)	4.3A (Ta)	4.3A (Ta)	4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 3A, 10V	55mOhm @ 4.3A, 10V	47mOhm @ 4.3A, 10V	47mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V	18 nC @ 10 V	19 nC @ 10 V	19 nC @ 10 V
Grundproduktnummer	FDC5614	FDC5612	-	FDC5661
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V	60 V	60 V	60 V
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Serie	PowerTrench®	PowerTrench®	PowerTrench®	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	759 pF @ 30 V	650 pF @ 25 V	763 pF @ 25 V	763 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse	SuperSOT™-6	SuperSOT™-6	TSOT-23-6	SuperSOT™-6
Paket	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Bulk	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max)	±20V	±20V	±20V	±20V

FDC5614P Datenblatt PDF

Laden Sie FDC5614P PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDC5614P - onsemi herunter.

Umweltinformationen: onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung: Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Marking Change 07/Oct/2022.pdf
PCN -Design/Spezifikation: Marking Change 07/Oct/2022.pdf Marking Change 17/Nov/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft: Mult Dev A/T Chgs 13/Dec/2021.pdf
Datenblätter: FDC5614P.pdf

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Region	Land	Logistische Zeit (Tag)
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Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
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Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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