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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDC6318P
onsemi
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FDC6318P - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDC6318P
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDC6318P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
FDC6318P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 122930

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Anzahl

Spezifikation

FDC6318P Tech -Spezifikationen
onsemi - FDC6318P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDC6318P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.5A, 4.5V  
Leistung - max 700mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 6V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDC6318  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDC6318P.

Produkteigenschaften FDC6318P FDC6310P FDC6312P FDC6310P
Artikelnummer FDC6318P FDC6310P FDC6312P FDC6310P
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 6V 337pF @ 10V 467pF @ 10V 337pF @ 10V
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A 2.2A 2.3A 2.2A
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Grundproduktnummer FDC6318 FDC6310 FDC6312 FDC6310
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.5A, 4.5V 125mOhm @ 2.2A, 4.5V 115mOhm @ 2.3A, 4.5V 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Leistung - max 700mW 700mW 700mW 700mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 4.5V 5.2nC @ 4.5V 7nC @ 4.5V 5.2nC @ 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V 20V 20V 20V

FDC6318P Datenblatt PDF

Laden Sie FDC6318P PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDC6318P - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Marking Change 07/Oct/2022.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Marking Change 07/Oct/2022.pdf Marking Change 17/Nov/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly 11/Nov/2020.pdf
Datenblätter
FDC6318P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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