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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDC6327C
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDC6327C - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDC6327C
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDC6327C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
FDC6327C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 188810

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Anzahl

Spezifikation

FDC6327C Tech -Spezifikationen
onsemi - FDC6327C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDC6327C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 2.7A, 4.5V  
Leistung - max 700mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.7A, 1.9A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer FDC6327  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDC6327C.

Produkteigenschaften FDC6327C FDC6324L FDC6325L-NL FDC6325L
Artikelnummer FDC6327C FDC6324L FDC6325L-NL FDC6325L
Hersteller onsemi onsemi Fairchild (onsemi) onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.7A, 1.9A - - -
Grundproduktnummer FDC6327 FDC6324 - FDC6325
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 10V - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA - - -
Konfiguration N and P-Channel - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 2.7A, 4.5V - - -
Serie PowerTrench® - - -
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -
Leistung - max 700mW - - -
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 - SuperSOT™-6
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V - - -

FDC6327C Datenblatt PDF

Laden Sie FDC6327C PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDC6327C - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Marking Change 07/Oct/2022.pdf Marking Change 17/Nov/2021.pdf
PCN -Verpackung
Marking Change 07/Oct/2022.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
FDC63yyy 14/Aug/2020.pdf
Datenblätter
FDC6327C.pdf

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Lieferzeit

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Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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