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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDC6506P
onsemi
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FDC6506P - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDC6506P
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDC6506P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
FDC6506P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5320

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Anzahl

Spezifikation

FDC6506P Tech -Spezifikationen
onsemi - FDC6506P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDC6506P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 1.8A, 10V  
Leistung - max 700mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.8A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDC6506  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDC6506P.

Produkteigenschaften FDC6506P FDC6432SH FDC645N_NL FDC645
Artikelnummer FDC6506P FDC6432SH FDC645N_NL FDC645
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild (onsemi) AMI Semiconductor/onsemi
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk - -
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 1.8A, 10V 90mOhm @ 2.4A, 10V - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 10V 3.5nC @ 5V - -
Leistung - max 700mW 700mW - -
Serie PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ - -
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 - -
Grundproduktnummer FDC6506 FDC6432 - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V 270pF @ 15V - -
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V, 12V - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 1mA - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.8A 2.4A, 2.5A - -

FDC6506P Datenblatt PDF

Laden Sie FDC6506P PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDC6506P - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 08/April/2008.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 17/Aug/2020.pdf Mult Dev EOL 14/Jan/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chg 6/May/2020.pdf
Datenblätter
FDC6506P.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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