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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDC654P
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDC654P - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDC654P
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDC654P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
FDC654P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 214300

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Anzahl

Spezifikation

FDC654P Tech -Spezifikationen
onsemi - FDC654P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDC654P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 3.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 298 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A (Ta)  
Grundproduktnummer FDC654  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDC654P.

Produkteigenschaften FDC654P FDC655AN FDC654P FDC653N
Artikelnummer FDC654P FDC655AN FDC654P FDC653N
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A (Ta) 6.3A (Ta) 3.6A (Ta) 5A (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer FDC654 FDC655 - FDC653
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 298 pF @ 15 V 830 pF @ 15 V 298 pF @ 15 V 350 pF @ 15 V
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 3.6A, 10V 27mOhm @ 6.3A, 10V 75mOhm @ 3.6A, 10V 35mOhm @ 5A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 10 V 13 nC @ 5 V 9 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V

FDC654P Datenblatt PDF

Laden Sie FDC654P PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDC654P - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Marking Change 07/Oct/2022.pdf
Datenblätter
FDC654P.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Marking Change 07/Oct/2022.pdf Marking Change 17/Nov/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Chgs 13/Dec/2021.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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