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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDD24AN06LA0-F085
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FDD24AN06LA0-F085 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDD24AN06LA0-F085
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDD24AN06LA0-F085
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A TO252AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FDD24AN06LA0_F085.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4460

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Anzahl

Spezifikation

FDD24AN06LA0-F085 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDD24AN06LA0-F085 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDD24AN06LA0-F085

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 75W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.1A (Ta), 40A (Tc)  
Grundproduktnummer FDD24  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDD24AN06LA0-F085.

Produkteigenschaften FDD24AN06LA0-F085 FDD2570 FDD20AN06A0 FDD2512
Artikelnummer FDD24AN06LA0-F085 FDD2570 FDD20AN06A0 FDD2512
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 25 V 1907 pF @ 75 V 950 pF @ 25 V 344 pF @ 75 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.1A (Ta), 40A (Tc) 4.7A (Ta) 8A (Ta), 45A (Tc) 6.7A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 5 V 62 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 40A, 10V 80mOhm @ 4.7A, 10V 20mOhm @ 45A, 10V 420mOhm @ 2.2A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 75W (Tc) 3.2W (Ta), 70W (Tc) 90W (Tc) 42W (Ta)
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET-Merkmal - - - -
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 150 V 60 V 150 V
Grundproduktnummer FDD24 FDD257 - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 6V, 10V 10V 6V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

FDD24AN06LA0-F085 Datenblatt PDF

Laden Sie FDD24AN06LA0-F085 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDD24AN06LA0-F085 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Teilenummer
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 17/Aug/2020.pdf Multiple Devices 13/Aug/2010.pdf
Datenblätter
FDD24AN06LA0_F085.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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