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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDD6630A
FDD6630A Image
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FDD6630A - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDD6630A
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDD6630A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 21A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FDD6630A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 137100

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Anzahl

Spezifikation

FDD6630A Tech -Spezifikationen
onsemi - FDD6630A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDD6630A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 7.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 28W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 462 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Ta)  
Grundproduktnummer FDD6630  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDD6630A.

Produkteigenschaften FDD6630A FDD6635 FDD6606 FDD6632
Artikelnummer FDD6630A FDD6635 FDD6606 FDD6632
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Ta) 15A (Ta), 59A (Tc) 75A (Ta) 9A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 462 pF @ 15 V 1400 pF @ 20 V 2400 pF @ 15 V 255 pF @ 15 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 35 V 30 V 30 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 5 V 36 nC @ 10 V 31 nC @ 5 V 4 nC @ 5 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® UltraFET™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 7.6A, 10V 10mOhm @ 15A, 10V 6mOhm @ 17A, 10V 70mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 28W (Ta) 3.8W (Ta), 55W (Tc) 71W (Tc) 15W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer FDD6630 FDD663 FDD660 FDD663
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

FDD6630A Datenblatt PDF

Laden Sie FDD6630A PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDD6630A - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Change 28/May/2023.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 24/Dec/2021.pdf Mult Dev Retraction 14/Jan/2022.pdf
Datenblätter
FDD6630A.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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