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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDD6N25TM
FDD6N25TM Image
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FDD6N25TM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDD6N25TM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDD6N25TM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FDD6N25TM.pdf
RoHS Status
vorrätig: 60230

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Anzahl

Spezifikation

FDD6N25TM Tech -Spezifikationen
onsemi - FDD6N25TM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDD6N25TM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 2.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.4A (Tc)  
Grundproduktnummer FDD6N25  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDD6N25TM.

Produkteigenschaften FDD6N25TM FDD6N50TM FDD6N20TF FDD6N25TM
Artikelnummer FDD6N25TM FDD6N50TM FDD6N20TF FDD6N25TM
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 500 V 200 V 250 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.4A (Tc) 6A (Tc) 4.5A (Tc) 4.4A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer FDD6N25 FDD6N50 FDD6 -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V 16.6 nC @ 10 V 6.1 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 2.2A, 10V 900mOhm @ 3A, 10V 800mOhm @ 2.3A, 10V 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
Serie UniFET™ UniFET™ UniFET™ UniFET™
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 89W (Tc) 40W (Tc) 50W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -

FDD6N25TM Datenblatt PDF

Laden Sie FDD6N25TM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDD6N25TM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 13/Aug/2020.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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