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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDD7N20TM
FDD7N20TM Image
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FDD7N20TM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDD7N20TM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDD7N20TM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FDD7N20TM.pdf
RoHS Status
vorrätig: 89780

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Anzahl

Spezifikation

FDD7N20TM Tech -Spezifikationen
onsemi - FDD7N20TM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDD7N20TM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 2.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 43W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc)  
Grundproduktnummer FDD7N20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDD7N20TM.

Produkteigenschaften FDD7N20TM FDD770N15A FDD7030BL FDD7030BL
Artikelnummer FDD7N20TM FDD770N15A FDD7030BL FDD7030BL
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 150 V 30 V 30 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 765 pF @ 75 V 1425 pF @ 15 V 1425 pF @ 15 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc) 18A (Tc) 14A (Ta), 56A (Tc) 14A (Ta), 56A (Tc)
Verlustleistung (max) 43W (Tc) 56.8W (Tc) 2.8W (Ta), 60W (Tc) 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 2.5A, 10V 77mOhm @ 12A, 10V 9.5mOhm @ 14A, 10V 9.5mOhm @ 14A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Serie UniFET™ PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 20 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V
Grundproduktnummer FDD7N20 FDD770 FDD703 -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDD7N20TM Datenblatt PDF

Laden Sie FDD7N20TM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDD7N20TM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Postponed Qualification 27/Dec/2022.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Change 28/May/2023.pdf
Datenblätter
FDD7N20TM.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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