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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDD86102LZ
FDD86102LZ Image
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FDD86102LZ - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDD86102LZ
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDD86102LZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FDD86102LZ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 42520

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Anzahl

Spezifikation

FDD86102LZ Tech -Spezifikationen
onsemi - FDD86102LZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDD86102LZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.5mOhm @ 8A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 54W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1540 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Ta), 35A (Tc)  
Grundproduktnummer FDD86102  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDD86102LZ.

Produkteigenschaften FDD86102LZ FDD8586 FDD8586 FDD86250
Artikelnummer FDD86102LZ FDD8586 FDD8586 FDD86250
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
Grundproduktnummer FDD86102 - FDD858 FDD862
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.5mOhm @ 8A, 10V 5.5mOhm @ 35A, 10V 5.5mOhm @ 35A, 10V 22mOhm @ 8A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Ta), 35A (Tc) 35A (Tc) 35A (Tc) 8A (Ta), 50A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1540 pF @ 50 V 2480 pF @ 10 V 2480 pF @ 10 V 2110 pF @ 75 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252AA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 54W (Tc) 77W (Tc) 77W (Tc) 3.1W (Ta), 132W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 20 V 20 V 150 V

FDD86102LZ Datenblatt PDF

Laden Sie FDD86102LZ PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDD86102LZ - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Change 28/May/2023.pdf
Datenblätter
FDD86102LZ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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