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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDD8874
FDD8874 Image
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FDD8874 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDD8874
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDD8874
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FDD8874, FDU8874.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4270

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Anzahl

Spezifikation

FDD8874 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDD8874 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDD8874

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 35A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2990 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Ta), 116A (Tc)  
Grundproduktnummer FDD887  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDD8874.

Produkteigenschaften FDD8874 FDD8796 FDD8878 FDD8878
Artikelnummer FDD8874 FDD8796 FDD8878 FDD8878
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252, (D-Pak)
Grundproduktnummer FDD887 - FDD887 -
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 88W (Tc) 40W (Tc) 40W (Tc)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 25 V 30 V 30 V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 35A, 10V 5.7mOhm @ 35A, 10V 15mOhm @ 35A, 10V 15mOhm @ 35A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Ta), 116A (Tc) 35A (Tc) 11A (Ta), 40A (Tc) 11A (Ta), 40A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2990 pF @ 15 V 2610 pF @ 13 V 880 pF @ 15 V 880 pF @ 15 V

FDD8874 Datenblatt PDF

Laden Sie FDD8874 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDD8874 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 13/Aug/2020.pdf
Datenblätter
FDD8874, FDU8874.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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