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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDFS2P106A
FDFS2P106A Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDFS2P106A - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDFS2P106A
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDFS2P106A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDFS2P106A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5080

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Anzahl

Spezifikation

FDFS2P106A Tech -Spezifikationen
onsemi - FDFS2P106A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDFS2P106A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3A, 10V  
Verlustleistung (max) 900mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 714 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta)  
Grundproduktnummer FDFS2P106  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDFS2P106A.

Produkteigenschaften FDFS2P106A FDFS2P753Z FDFME3N311ZT FDFS2P102A
Artikelnummer FDFS2P106A FDFS2P753Z FDFME3N311ZT FDFS2P102A
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 6-UMLP (1.6x1.6) 8-SOIC
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - - 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) - Schottky Diode (Isolated)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta) 3A (Ta) 1.8A (Ta) 3.3A (Ta)
Grundproduktnummer FDFS2P106 - - FDFS2
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V 9.3 nC @ 10 V 1.4 nC @ 4.5 V 3 nC @ 5 V
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V ±25V ±12V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 30 V 30 V 20 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3A, 10V 115mOhm @ 3A, 10V 299mOhm @ 1.6A, 4.5V 125mOhm @ 3.3A, 10V
Verlustleistung (max) 900mW (Ta) 1.6W (Ta) 600mW (Ta) 900mW (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 6-UFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 714 pF @ 30 V 455 pF @ 10 V 75 pF @ 15 V 182 pF @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FDFS2P106A Datenblatt PDF

Laden Sie FDFS2P106A PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDFS2P106A - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Rev 20/Dec/2018.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Obsolete Notice 30/Sep/2022.pdf
Datenblätter
FDFS2P106A.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Change 30/Sep/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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