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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDH5500
onsemi
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FDH5500 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDH5500
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDH5500
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
FDH5500.pdf
vorrätig: 3720

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Anzahl

Spezifikation

FDH5500 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDH5500 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDH5500

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3565 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 268 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  
Grundproduktnummer FDH550  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDH5500.

Produkteigenschaften FDH5500 FDH3632 FDH3632 FDH50N50
Artikelnummer FDH5500 FDH3632 FDH3632 FDH50N50
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 12A (Ta), 80A (Tc) 12A (Ta), 80A (Tc) 48A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 6V, 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 268 nC @ 20 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 137 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 310W (Tc) 310W (Tc) 625W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3565 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V 6460 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247 TO-247
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paket Tube Tube Bulk Tube
Grundproduktnummer FDH550 FDH363 - -
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 100 V 100 V 500 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 75A, 10V 9mOhm @ 80A, 10V 9mOhm @ 80A, 10V 105mOhm @ 24A, 10V
Serie UltraFET™ PowerTrench® PowerTrench® UniFET™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

FDH5500 Datenblatt PDF

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Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FDH5500.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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