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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMA86265P
FDMA86265P Image
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FDMA86265P - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMA86265P
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMA86265P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-WDFN Exposed Pad
Datenblatt
FDMA86265P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 92520

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Anzahl

Spezifikation

FDMA86265P Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMA86265P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMA86265P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-MicroFET (2x2)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.4W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 75 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Ta)  
Grundproduktnummer FDMA86265  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMA86265P.

Produkteigenschaften FDMA86265P FDMA86108LZ FDMA8051L FDMA905P
Artikelnummer FDMA86265P FDMA86108LZ FDMA8051L FDMA905P
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 100 V 40 V 12 V
Supplier Device-Gehäuse 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 1A, 10V 243mOhm @ 2.2A, 10V 14mOhm @ 10A, 10V 16mOhm @ 10A, 4.5V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer FDMA86265 - - -
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±8V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Ta) 2.2A (Ta) 10A (Tc) 10A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 10 V 3 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 29 nC @ 6 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 75 V 163 pF @ 50 V 1260 pF @ 20 V 3405 pF @ 6 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®

FDMA86265P Datenblatt PDF

Laden Sie FDMA86265P PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMA86265P - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Datenblätter
FDMA86265P.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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