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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMC6675BZ
onsemi
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FDMC6675BZ - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMC6675BZ
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMC6675BZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
FDMC6675BZ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 86320

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Anzahl

Spezifikation

FDMC6675BZ Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMC6675BZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMC6675BZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3.3x3.3)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.4mOhm @ 9.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 36W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2865 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.5A (Ta), 20A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMC6675  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMC6675BZ.

Produkteigenschaften FDMC6675BZ FDMC6683PZ FDMC6683 FDMC5614P
Artikelnummer FDMC6675BZ FDMC6683PZ FDMC6683 FDMC5614P
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.4mOhm @ 9.5A, 10V - 8.3mOhm @ 12A, 4.5V 100mOhm @ 5.7A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V 20 V 60 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.5A (Ta), 20A (Tc) 40A (Tc) 12A (Ta), 18A (Tc) 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 1.8V, 5V 4.5V, 10V
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 36W (Tc) 26W (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3)
FET-Merkmal - - - -
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2865 pF @ 15 V 7995 pF @ 10 V 7835 pF @ 10 V 1055 pF @ 30 V
Grundproduktnummer FDMC6675 FDMC66 - FDMC5614
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V 114 nC @ 4.5 V 20 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN - 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Vgs (Max) ±25V ±12V ±8V ±20V

FDMC6675BZ Datenblatt PDF

Laden Sie FDMC6675BZ PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMC6675BZ - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf FDMC/FR014 29/Mar/2022.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Datenblätter
FDMC6675BZ.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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