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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDMC7200
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMC7200 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMC7200
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMC7200
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8POWER33
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
FDMC7200.pdf
RoHS Status
vorrätig: 126810

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Anzahl

Spezifikation

FDMC7200 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMC7200 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMC7200

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-Power33 (3x3)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23.5mOhm @ 6A, 10V  
Leistung - max 700mW, 900mW  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A, 8A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDMC72  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMC7200.

Produkteigenschaften FDMC7200 FDMC6890NZ FDMC6890NZ FDMC7200
Artikelnummer FDMC7200 FDMC6890NZ FDMC6890NZ FDMC7200
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23.5mOhm @ 6A, 10V 68mOhm @ 4A, 4.5V 68mOhm @ 4A, 4.5V 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V 3.4nC @ 4.5V 3.4nC @ 4.5V 10nC @ 10V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Leistung - max 700mW, 900mW 1.92W, 1.78W 1.92W, 1.78W 700mW, 900mW
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A, 8A 4A 4A 6A, 8A
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 20V 20V 30V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse 8-Power33 (3x3) MicroFET 3x3mm MicroFET 3x3mm 8-Power33 (3x3)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 8-PowerWDFN
Grundproduktnummer FDMC72 FDMC6890 FDMC6890 FDMC72
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V 270pF @ 10V 270pF @ 10V 660pF @ 15V

FDMC7200 Datenblatt PDF

Laden Sie FDMC7200 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMC7200 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Datenblätter
FDMC7200.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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