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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMC8588A
onsemi
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FDMC8588A - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMC8588A
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMC8588A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMC8588A.pdf
vorrätig: 4140

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Anzahl

Spezifikation

FDMC8588A Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMC8588A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMC8588A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Power33  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 17A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.4W (Ta), 26W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1720 pF @ 13 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16.5A (Ta), 40A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMC8588A.

Produkteigenschaften FDMC8588A FDMC8588 FDMC8360LET40 FDMC8554
Artikelnummer FDMC8588A FDMC8588 FDMC8360LET40 FDMC8554
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 17A, 10V 5mOhm @ 17A, 10V 2.1mOhm @ 27A, 10V 5mOhm @ 16.5A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA 1.8V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Verlustleistung (max) 2.4W (Ta), 26W (Tc) 2.4W (Ta), 26W (Tc) 2.8W (Ta), 75W (Tc) 2W (Ta), 41W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse Power33 Power33 Power33 8-MLP (3.3x3.3)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 40 V 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 80 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±12V ±12V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1720 pF @ 13 V 1228 pF @ 13 V 5300 pF @ 20 V 3380 pF @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16.5A (Ta), 40A (Tc) 16.5A (Ta), 40A (Tc) 27A (Ta), 141A (Tc) 16.5A (Tc)

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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