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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS3572
onsemi
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FDMS3572 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMS3572
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS3572
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
FDMS3572.pdf
RoHS Status
vorrätig: 31207

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Anzahl

Spezifikation

FDMS3572 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMS3572 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMS3572

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (5x6), Power56  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 8.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 78W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2490 pF @ 40 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.8A (Ta), 22A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMS35  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMS3572.

Produkteigenschaften FDMS3572 FDMS3500 FDMS2D5N08C FDMS3006SDC
Artikelnummer FDMS3572 FDMS3500 FDMS2D5N08C FDMS3006SDC
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2490 pF @ 40 V 4765 pF @ 40 V 6240 pF @ 40 V 5725 pF @ 15 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 380µA 3V @ 1mA
Serie UltraFET™ PowerTrench® PowerTrench® Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 75 V 80 V 30 V
Grundproduktnummer FDMS35 - FDMS2D5 FDMS30
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (5x6), Power56 8-PQFN (5x6) Power56 Dual Cool™56
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.8A (Ta), 22A (Tc) 9.2A (Ta), 49A (Tc) 166A (Tc) 34A (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 8.8A, 10V 14.5mOhm @ 11.5A, 10V 2.7mOhm @ 68A, 10V 1.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) 138W (Tc) 3.3W (Ta), 89W (Tc)

FDMS3572 Datenblatt PDF

Laden Sie FDMS3572 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMS3572 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Datenblätter
FDMS3572.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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