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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDMS3610S
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMS3610S - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMS3610S
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS3610S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 17.5/30A PWR56
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMS3610S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4620

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Anzahl

Spezifikation

FDMS3610S Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMS3610S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMS3610S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Power56  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 17.5A, 10V  
Leistung - max 1W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1570pF @ 13V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17.5A, 30A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical  
Grundproduktnummer FDMS3610  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMS3610S.

Produkteigenschaften FDMS3610S FDMS3610S FDMS3624S FDMS3604S
Artikelnummer FDMS3610S FDMS3610S FDMS3624S FDMS3604S
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse Power56 Power56 - 8-PQFN (5x6)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN - 8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V 26nC @ 10V - 29nC @ 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Leistung - max 1W 1W - 1W
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical - 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Grundproduktnummer FDMS3610 FDMS3610 FDMS3624 FDMS3604
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA - 2.7V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1570pF @ 13V 1570pF @ 13V - 1785pF @ 15V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie PowerTrench® PowerTrench® * PowerTrench®
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 17.5A, 10V 5mOhm @ 17.5A, 10V - 8mOhm @ 13A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17.5A, 30A 17.5A, 30A - 13A, 23A
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V 25V - 30V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk

FDMS3610S Datenblatt PDF

Laden Sie FDMS3610S PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMS3610S - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly 11/Mar/2020.pdf
Datenblätter
FDMS3610S.pdf

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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