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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDMS3660AS
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMS3660AS - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMS3660AS
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS3660AS
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMS3660AS.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4110

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Anzahl

Spezifikation

FDMS3660AS Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMS3660AS Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMS3660AS

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Power56  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V  
Leistung - max 1W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2230pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A, 30A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDMS3660  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMS3660AS.

Produkteigenschaften FDMS3660AS FDMS3626S FDMS3664S FDMS3622S
Artikelnummer FDMS3660AS FDMS3626S FDMS3664S FDMS3622S
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2230pF @ 15V 1570pF @ 13V 1765pF @ 15V 1570pF @ 13V
Supplier Device-Gehäuse Power56 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) Power56
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer FDMS3660 FDMS3626 FDMS3664 FDMS3622
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V 26nC @ 10V 29nC @ 10V 26nC @ 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A, 30A 17.5A, 25A 13A, 25A 17.5A, 34A
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
VGS (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA 2V @ 250µA 2.7V @ 250µA 2V @ 250µA
Leistung - max 1W 1W 1W 1W
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 25V 30V 25V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V 5mOhm @ 17.5A, 10V 8mOhm @ 13A, 10V 5mOhm @ 17.5A, 10V

FDMS3660AS Datenblatt PDF

Laden Sie FDMS3660AS PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMS3660AS - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly 11/Mar/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
Datenblätter
FDMS3660AS.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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