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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS7672
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMS7672 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMS7672
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS7672
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 19A/28A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMS7672.pdf
RoHS Status
vorrätig: 62540

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Anzahl

Spezifikation

FDMS7672 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMS7672 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMS7672

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 19A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 48W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2960 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Ta), 28A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMS76  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMS7672.

Produkteigenschaften FDMS7672 FDMS7672AS FDMS7672 FDMS7680
Artikelnummer FDMS7672 FDMS7672AS FDMS7672 FDMS7680
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 19A, 10V 4mOhm @ 18A, 10V 5mOhm @ 19A, 10V 6.9mOhm @ 14A, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V
Grundproduktnummer FDMS76 FDMS7672 - FDMS76
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 33W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2960 pF @ 15 V 2820 pF @ 15 V 2960 pF @ 15 V 1850 pF @ 15 V
FET-Merkmal - - - -
Serie PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench® PowerTrench®
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Ta), 28A (Tc) 19A (Ta), 42A (Tc) 19A (Ta), 28A (Tc) 14A (Ta), 28A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) Power56 8-PQFN (5x6)

FDMS7672 Datenblatt PDF

Laden Sie FDMS7672 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMS7672 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Materials 14/Apr/2009.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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