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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS8026S
onsemi
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FDMS8026S - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMS8026S
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS8026S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMS8026S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 50710

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Anzahl

Spezifikation

FDMS8026S Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMS8026S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMS8026S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 19A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 41W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2280 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Ta), 22A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMS8026  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMS8026S.

Produkteigenschaften FDMS8026S FDMS8027S FDMS8026S FDMS8050ET30
Artikelnummer FDMS8026S FDMS8027S FDMS8026S FDMS8050ET30
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2280 pF @ 15 V 1815 pF @ 15 V 2280 pF @ 15 V 22610 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 19A, 10V 5mOhm @ 18A, 10V 4.3mOhm @ 19A, 10V 0.65mOhm @ 55A, 10V
Serie PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™ -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Ta), 22A (Tc) 18A (Ta), 22A (Tc) 19A (Ta), 22A (Tc) 55A (Ta), 423A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 750µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Grundproduktnummer FDMS8026 - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 285 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) Power56
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 41W (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc) 3.3W (Ta), 180W (Tc)

FDMS8026S Datenblatt PDF

Laden Sie FDMS8026S PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMS8026S - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
Datenblätter
FDMS8026S.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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