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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDMS8090
onsemi
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FDMS8090 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMS8090
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS8090
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
FDMS8090.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 8296

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Spezifikation

FDMS8090 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMS8090 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMS8090

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (5x6), Power56  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V  
Leistung - max 2.2W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 50V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDMS80  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMS8090.

Produkteigenschaften FDMS8090 FDMS8095AC FDMS8095AC FDMS8050ET30
Artikelnummer FDMS8090 FDMS8095AC FDMS8095AC FDMS8050ET30
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerTDFN
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel N and P-Channel -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V 150V 150V 30 V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer FDMS80 FDMS8095 FDMS8095 FDMS8050
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A 6.2A, 1A 6.2A, 1A 55A (Ta), 423A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 750µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V 30nC @ 10V 30nC @ 10V 285 nC @ 10 V
Leistung - max 2.2W 2.3W 2.3W -
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (5x6), Power56 8-MLP (5x6), Power56 8-MLP (5x6), Power56 8-PQFN (5x6)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 50V 2020pF @ 75V 2020pF @ 75V 22610 pF @ 15 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V 30mOhm @ 6.2A, 10V 30mOhm @ 6.2A, 10V 0.65mOhm @ 55A, 10V

FDMS8090 Datenblatt PDF

Laden Sie FDMS8090 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMS8090 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Datenblätter
FDMS8090.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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