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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS86263P
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMS86263P - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMS86263P
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS86263P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMS86263P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 23244

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Anzahl

Spezifikation

FDMS86263P Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMS86263P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMS86263P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53mOhm @ 4.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 104W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3905 pF @ 75 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.4A (Ta), 22A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMS86263  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMS86263P.

Produkteigenschaften FDMS86263P FDMS86322 FDMS86350 FDMS86252L
Artikelnummer FDMS86263P FDMS86322 FDMS86350 FDMS86252L
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53mOhm @ 4.4A, 10V 7.65mOhm @ 13A, 10V 2.4mOhm @ 25A, 10V 56mOhm @ 4.4A, 10V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer FDMS86263 FDMS86 FDMS86 FDMS86252
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.4A (Ta), 22A (Tc) 13A (Ta), 60A (Tc) 25A (Ta), 130A (Tc) 4.4A (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 80 V 80 V 150 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 2.7W (Ta), 156W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3905 pF @ 75 V 3000 pF @ 50 V 10680 pF @ 40 V 1335 pF @ 75 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 8V, 10V 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 3V @ 250µA

FDMS86263P Datenblatt PDF

Laden Sie FDMS86263P PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMS86263P - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
PQFN56 Wire Source 9/Dec/2020.pdf
Datenblätter
FDMS86263P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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