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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS8660S
onsemi
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FDMS8660S - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMS8660S
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS8660S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 25A/40A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMS8660S.pdf
vorrätig: 4710

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Anzahl

Spezifikation

FDMS8660S Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMS8660S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMS8660S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 83W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4345 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 113 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 25A (Ta), 40A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMS86  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMS8660S.

Produkteigenschaften FDMS8660S FDMS86540 FDMS8670S FDMS8670
Artikelnummer FDMS8660S FDMS86540 FDMS8670S FDMS8670
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 8V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4345 pF @ 15 V 6435 pF @ 30 V 4000 pF @ 15 V 3940 pF @ 15 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer FDMS86 FDMS86 - FDMS86
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 25A, 10V 3.4mOhm @ 20A, 10V 3.5mOhm @ 20A, 10V 2.6mOhm @ 24A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 25A (Ta), 40A (Tc) 20A (Ta), 50A (Tc) 20A (Ta), 42A (Tc) 24A (Ta), 42A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 60 V 30 V 30 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 113 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 73 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V

FDMS8660S Datenblatt PDF

Laden Sie FDMS8660S PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMS8660S - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Plating Material 13/June/2007.pdf
Datenblätter
FDMS8660S.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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