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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMT80060DC
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMT80060DC - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMT80060DC
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMT80060DC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 43A/292A 8DUAL
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
FDMT80060DC.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9140

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Anzahl

Spezifikation

FDMT80060DC Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMT80060DC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMT80060DC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-Dual Cool™88  
Serie Dual Cool™, PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 43A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 156W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20170 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 238 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 43A (Ta), 292A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMT80060  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMT80060DC.

Produkteigenschaften FDMT80060DC FDMT800120DC FDMT800100DC FDMS9410-F085
Artikelnummer FDMT80060DC FDMT800120DC FDMT800100DC FDMS9410-F085
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 43A (Ta), 292A (Tc) 20A (Ta), 129A (Tc) 24A (Ta), 162A (Tc) 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 43A, 10V 4.14mOhm @ 20A, 10V 2.95mOhm @ 24A, 10V 4.4mOhm @ 50A, 10V
Serie Dual Cool™, PowerTrench® Dual Cool™, PowerTrench® Dual Cool™, PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Supplier Device-Gehäuse 8-Dual Cool™88 8-Dual Cool™88 8-Dual Cool™88 Power56
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 120 V 100 V 40 V
Grundproduktnummer FDMT80060 FDMT800120 FDMT800100 FDMS94
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 156W (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) 75W (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 238 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V 111 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20170 pF @ 30 V 7850 pF @ 60 V 7835 pF @ 50 V 1790 pF @ 20 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FDMT80060DC Datenblatt PDF

Laden Sie FDMT80060DC PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMT80060DC - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Package Change 21/Apr/2021.pdf
Datenblätter
FDMT80060DC.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chg 11/Oct/2019.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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