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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDN338P
FDN338P Image
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FDN338P - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDN338P
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDN338P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
FDN338P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 207820

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Anzahl

Spezifikation

FDN338P Tech -Spezifikationen
onsemi - FDN338P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDN338P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 1.6A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 500mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 451 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.6A (Ta)  
Grundproduktnummer FDN338  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDN338P.

Produkteigenschaften FDN338P FDN336P-NL FDN339AN FDN338P
Artikelnummer FDN338P FDN336P-NL FDN339AN FDN338P
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Grundproduktnummer FDN338 FDN336 - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2 nC @ 4.5 V 5 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V 6.2 nC @ 4.5 V
Verlustleistung (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 451 pF @ 10 V 330 pF @ 10 V 700 pF @ 10 V 451 pF @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 1.6A, 4.5V 200mOhm @ 1.3A, 4.5V 35mOhm @ 3A, 4.5V 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.6A (Ta) 1.3A (Ta) 3A (Ta) 1.6A (Ta)

FDN338P Datenblatt PDF

Laden Sie FDN338P PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDN338P - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022.pdf Marking Lay-out Implementation 15/Nov/2021.pdf
Datenblätter
FDN338P.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Fab 5/Feb/2021.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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