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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDN357N
FDN357N Image
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FDN357N - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDN357N
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDN357N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
FDN357N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 210130

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Anzahl

Spezifikation

FDN357N Tech -Spezifikationen
onsemi - FDN357N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDN357N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 2.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 500mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.9 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.9A (Ta)  
Grundproduktnummer FDN357  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDN357N.

Produkteigenschaften FDN357N FDN352AP FDN358P FDN358P
Artikelnummer FDN357N FDN352AP FDN358P FDN358P
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 10 V 150 pF @ 15 V 182 pF @ 15 V 182 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.9 nC @ 5 V 1.9 nC @ 4.5 V 5.6 nC @ 10 V 5.6 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Grundproduktnummer FDN357 FDN352 FDN358 FDN358
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 2.2A, 10V 180mOhm @ 1.3A, 10V 125mOhm @ 1.5A, 10V 125mOhm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 SOT-23-3 SuperSOT-3 SOT-23-3
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.9A (Ta) 1.3A (Ta) 1.5A (Ta) 1.5A (Ta)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

FDN357N Datenblatt PDF

Laden Sie FDN357N PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDN357N - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022.pdf Marking Lay-out Implementation 15/Nov/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chgs 12/Jul/2020.pdf
Datenblätter
FDN357N.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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