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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDP036N10A
FDP036N10A Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDP036N10A - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDP036N10A
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDP036N10A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FDP036N10A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9935

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Anzahl

Spezifikation

FDP036N10A Tech -Spezifikationen
onsemi - FDP036N10A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDP036N10A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 333W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7295 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 116 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer FDP036  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDP036N10A.

Produkteigenschaften FDP036N10A FDP032N08 FDP038AN06A0 FDP038AN06A0
Artikelnummer FDP036N10A FDP032N08 FDP038AN06A0 FDP038AN06A0
Hersteller onsemi Texas Instruments onsemi Fairchild Semiconductor
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 6V, 10V 6V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 75 V 60 V 60 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Grundproduktnummer FDP036 FDP032 FDP038 -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tube Bulk Tube Bulk
FET-Merkmal - - - -
Serie PowerTrench® - PowerTrench® PowerTrench®
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7295 pF @ 25 V 15160 pF @ 25 V 6400 pF @ 25 V 6400 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 75A, 10V 3.2mOhm @ 75A, 10V 3.8mOhm @ 80A, 10V 3.8mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max) 333W (Tc) 375W (Tc) 310W (Tc) 310W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 17A (Ta), 80A (Tc) 17A (Ta), 80A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 116 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 124 nC @ 10 V 124 nC @ 10 V

FDP036N10A Datenblatt PDF

Laden Sie FDP036N10A PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDP036N10A - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf FDP036N10A Epoxy 29/May/2013.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FDP036N10A.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly/Mat Chg 16/Jan/2020.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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