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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDP33N25
FDP33N25 Image
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FDP33N25 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDP33N25
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDP33N25
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FDP33N25 Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 34920

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Anzahl

Spezifikation

FDP33N25 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDP33N25 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDP33N25

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94mOhm @ 16.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 235W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2135 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Tc)  
Grundproduktnummer FDP33  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDP33N25.

Produkteigenschaften FDP33N25 FDP33N25 FDP3652 FDP2D3N10C
Artikelnummer FDP33N25 FDP33N25 FDP3652 FDP2D3N10C
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Tc) 33A (Tc) 9A (Ta), 61A (Tc) 222A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 6V, 10V 10V
Grundproduktnummer FDP33 - FDP36 FDP2D3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 235W (Tc) 235W (Tc) 150W (Tc) 214W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Bulk Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 700µA
Serie UniFET™ UniFET™ PowerTrench® PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94mOhm @ 16.5A, 10V 94mOhm @ 16.5A, 10V 16mOhm @ 61A, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 152 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2135 pF @ 25 V 2135 pF @ 25 V 2880 pF @ 25 V 11180 pF @ 50 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 250 V 100 V 100 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V

FDP33N25 Datenblatt PDF

Laden Sie FDP33N25 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDP33N25 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Postponed Qualification 27/Dec/2022.pdf Wafer Fab Change 27/Sep/2022.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FDP33N25 Datasheet.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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