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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDP5N50
FDP5N50 Image
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FDP5N50 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDP5N50
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDP5N50
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FDP5N50, FDPF5N50FT.pdf
vorrätig: 4500

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Spezifikation

FDP5N50 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDP5N50 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDP5N50

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 85W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc)  
Grundproduktnummer FDP5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDP5N50.

Produkteigenschaften FDP5N50 FDP6030BL FDP5N60NZ FDP5N60NZ
Artikelnummer FDP5N50 FDP6030BL FDP5N60NZ FDP5N60NZ
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V 1160 pF @ 15 V 600 pF @ 25 V 600 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 30 V 600 V 600 V
Serie UniFET™ PowerTrench® UniFET-II™ UniFET-II™
Vgs (Max) ±30V ±20V ±25V ±25V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 3V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Grundproduktnummer FDP5 FDP60 - FDP5
Verlustleistung (max) 85W (Tc) 60W (Tc) 100W (Tc) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2.5A, 10V 18mOhm @ 20A, 10V 2Ohm @ 2.25A, 10V 2Ohm @ 2.25A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc) 40A (Tc) 4.5A (Tc) 4.5A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 17 nC @ 5 V 13 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Bulk Tube

FDP5N50 Datenblatt PDF

Laden Sie FDP5N50 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDP5N50 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FDP5N50, FDPF5N50FT.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 14/Mar/2011.pdf

Lieferung

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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