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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDP8442
FDP8442 Image
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FDP8442 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDP8442
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDP8442
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FDP8442.pdf
vorrätig: 4690

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Spezifikation

FDP8442 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDP8442 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDP8442

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 80A, 10V  
Verlustleistung (max) 254W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Ta), 80A (Tc)  
Grundproduktnummer FDP84  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDP8442.

Produkteigenschaften FDP8442 FDP8440 FDP8442 FDP80N06
Artikelnummer FDP8442 FDP8440 FDP8442 FDP80N06
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Ta), 80A (Tc) 100A (Tc) 23A (Ta), 80A (Tc) 80A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 60 V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Paket Tube Tube Tube Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V 450 nC @ 10 V 235 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 80A, 10V 2.2mOhm @ 80A, 10V 3.1mOhm @ 80A, 10V 10mOhm @ 40A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12200 pF @ 25 V 24740 pF @ 25 V 12200 pF @ 25 V 3190 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 254W (Tc) 306W (Tc) 254W (Tc) 176W (Tc)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® UniFET™
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer FDP84 FDP84 - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V

FDP8442 Datenblatt PDF

Laden Sie FDP8442 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDP8442 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FDP8442.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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