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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDR6674A
FDR6674A Image
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FDR6674A - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDR6674A
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDR6674A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 11.5A SUPERSOT8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Datenblatt
FDR6674A.pdf
vorrätig: 3730

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Anzahl

Spezifikation

FDR6674A Tech -Spezifikationen
onsemi - FDR6674A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDR6674A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-8  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 10.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5070 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.5A (Ta)  
Grundproduktnummer FDR66  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDR6674A.

Produkteigenschaften FDR6674A FDR4420A FDR838P FDR840P
Artikelnummer FDR6674A FDR4420A FDR838P FDR840P
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Grundproduktnummer FDR66 FDR44 FDR83 FDR84
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 10.5A, 4.5V 9mOhm @ 11A, 10V 17mOhm @ 8A, 4.5V 12mOhm @ 10A, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5070 pF @ 15 V 2560 pF @ 15 V 3300 pF @ 10 V 4481 pF @ 10 V
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Serie PowerTrench® - - -
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-8 SuperSOT™-8 SuperSOT™-8 SuperSOT™-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.5A (Ta) 11A (Ta) 8A (Ta) 10A (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 20 V 20 V
Vgs (Max) ±12V ±20V ±8V ±12V
Verpackung / Gehäuse 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 4.5 V 33 nC @ 5 V 45 nC @ 4.5 V 60 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

FDR6674A Datenblatt PDF

Laden Sie FDR6674A PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDR6674A - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FDR6674A.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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