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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDS2070N3
FDS2070N3 Image
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FDS2070N3 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS2070N3
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS2070N3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Datenblatt
FDS2070N3.pdf
vorrätig: 3770

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Anzahl

Spezifikation

FDS2070N3 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS2070N3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS2070N3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO FLMP  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 4.1A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1884 pF @ 75 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.1A (Ta)  
Grundproduktnummer FDS20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS2070N3.

Produkteigenschaften FDS2070N3 FDS2170N7 FDS2070N3 FDS2070N7
Artikelnummer FDS2070N3 FDS2170N7 FDS2070N3 FDS2070N7
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Grundproduktnummer FDS20 - - -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 4.1A, 10V 128mOhm @ 3A, 10V 78mOhm @ 4.1A, 10V 78mOhm @ 4.1A, 10V
Verlustleistung (max) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 200 V 150 V 150 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 6V, 10V 6V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1884 pF @ 75 V 1292 pF @ 100 V 1884 pF @ 75 V 1884 pF @ 75 V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO FLMP 8-SO 8-SO 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.1A (Ta) 3A (Ta) 4.1A (Ta) 4.1A (Ta)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

FDS2070N3 Datenblatt PDF

Laden Sie FDS2070N3 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS2070N3 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 03/Dec/2009.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mold Compound 27/March/2008.pdf
Datenblätter
FDS2070N3.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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