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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDS4435A
FDS4435A Image
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FDS4435A - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS4435A
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS4435A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS4435A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4490

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Anzahl

Spezifikation

FDS4435A Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS4435A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS4435A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 9A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2010 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta)  
Grundproduktnummer FDS44  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS4435A.

Produkteigenschaften FDS4435A FDS4435 FDS4435BZ FDS4435A
Artikelnummer FDS4435A FDS4435 FDS4435BZ FDS4435A
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 5 V 24 nC @ 5 V 40 nC @ 10 V 30 nC @ 5 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±25V ±25V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta) 8.8A (Ta) 8.8A (Ta) 9A (Ta)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 9A, 10V 20mOhm @ 8.8A, 10V 20mOhm @ 8.8A, 10V 17mOhm @ 9A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2010 pF @ 15 V 1604 pF @ 15 V 1845 pF @ 15 V 2010 pF @ 15 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer FDS44 FDS44 FDS4435 -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

FDS4435A Datenblatt PDF

Laden Sie FDS4435A PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS4435A - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 24/Dec/2021.pdf Mult Dev Retraction 14/Jan/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Korea Fab Site Add 3/Jan/2017.pdf
Datenblätter
FDS4435A.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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FDS4435A

onsemi
32D-FDS4435A

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