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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDS4501H
FDS4501H Image
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FDS4501H - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS4501H
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS4501H
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS4501H.pdf
RoHS Status
vorrätig: 62380

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Anzahl

Spezifikation

FDS4501H Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS4501H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS4501H

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9.3A, 10V  
Leistung - max 1W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1958pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V, 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.3A, 5.6A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer FDS4501  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS4501H.

Produkteigenschaften FDS4501H FDS4501H FDS4480_NL FDS4488-NL
Artikelnummer FDS4501H FDS4501H FDS4480_NL FDS4488-NL
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild (onsemi) Fairchild (onsemi)
Grundproduktnummer FDS4501 FDS4501 - -
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.3A, 5.6A 9.3A, 5.6A - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1958pF @ 10V 1958pF @ 10V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9.3A, 10V 18mOhm @ 9.3A, 10V - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V 27nC @ 4.5V - -
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC - -
Leistung - max 1W 1W - -
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V, 20V 30V, 20V - -
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Serie PowerTrench® PowerTrench® - -

FDS4501H Datenblatt PDF

Laden Sie FDS4501H PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS4501H - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf
Datenblätter
FDS4501H.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab 02/Aug/2020.pdf

Lieferung

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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