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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDS4895C
FDS4895C Image
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FDS4895C - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS4895C
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS4895C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS4895C.pdf
vorrätig: 4250

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Anzahl

Spezifikation

FDS4895C Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS4895C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS4895C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 5.5A, 10V  
Leistung - max 900mW  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 20V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A, 4.4A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer FDS48  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS4895C.

Produkteigenschaften FDS4895C FDS4895C FDS4897C FDS4897AC
Artikelnummer FDS4895C FDS4895C FDS4897C FDS4897AC
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V 40V 40V 40V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer FDS48 FDS48 FDS4897 FDS4897
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 20V 410pF @ 20V 760pF @ 20V 1055pF @ 20V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
FET-Merkmal - - Logic Level Gate Logic Level Gate
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 5.5A, 10V 39mOhm @ 5.5A, 10V 29mOhm @ 6.2A, 10V 26mOhm @ 6.1A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V 10nC @ 10V 20nC @ 10V 21nC @ 10V
Leistung - max 900mW 900mW 900mW 900mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A, 4.4A 5.5A, 4.4A 6.2A, 4.4A 6.1A, 5.2A
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®

FDS4895C Datenblatt PDF

Laden Sie FDS4895C PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS4895C - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FDS4895C.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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