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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDS4935
FDS4935 Image
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FDS4935 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS4935
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS4935
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS4935.pdf
vorrätig: 4480

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Anzahl

Spezifikation

FDS4935 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS4935 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS4935

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1233pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDS49  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS4935.

Produkteigenschaften FDS4935 FDS4935A FDS4935 FDS4897C
Artikelnummer FDS4935 FDS4935A FDS4935 FDS4897C
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A 7A 7A 6.2A, 4.4A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V 21nC @ 5V 21nC @ 5V 20nC @ 10V
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V 23mOhm @ 7A, 10V 23mOhm @ 7A, 10V 29mOhm @ 6.2A, 10V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Leistung - max 2W 900mW 2W 900mW
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 40V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer FDS49 FDS49 FDS49 FDS4897
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1233pF @ 15V 1233pF @ 15V 1233pF @ 15V 760pF @ 20V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA

FDS4935 Datenblatt PDF

Laden Sie FDS4935 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS4935 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FDS4935.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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