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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDS6572A
FDS6572A Image
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FDS6572A - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS6572A
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS6572A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS6572A.pdf
vorrätig: 4000

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Anzahl

Spezifikation

FDS6572A Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS6572A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS6572A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 16A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5914 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta)  
Grundproduktnummer FDS65  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS6572A.

Produkteigenschaften FDS6572A FDS6575 FDS6570A FDS6570A
Artikelnummer FDS6572A FDS6575 FDS6570A FDS6570A
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer FDS65 FDS65 - FDS6570
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 4.5 V 74 nC @ 4.5 V 66 nC @ 5 V 66 nC @ 5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 16A, 4.5V 13mOhm @ 10A, 4.5V 7.5mOhm @ 15A, 4.5V 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5914 pF @ 10 V 4951 pF @ 10 V 4700 pF @ 10 V 4700 pF @ 10 V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta) 10A (Ta) 15A (Ta) 15A (Ta)
Vgs (Max) ±12V ±8V ±8V ±8V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel

FDS6572A Datenblatt PDF

Laden Sie FDS6572A PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS6572A - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FDS6572A.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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