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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDS6672A
FDS6672A Image
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FDS6672A - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS6672A
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS6672A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS6672A.pdf
vorrätig: 5370

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Anzahl

Spezifikation

FDS6672A Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS6672A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS6672A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5070 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.5A (Ta)  
Grundproduktnummer FDS66  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS6672A.

Produkteigenschaften FDS6672A FDS6673BZ FDS6673AZ FDS6672A
Artikelnummer FDS6672A FDS6673BZ FDS6673AZ FDS6672A
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Grundproduktnummer FDS66 FDS6673 FDS66 -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 4.5 V 124 nC @ 10 V 118 nC @ 10 V 46 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.5A (Ta) 14.5A (Ta) 14.5A (Ta) 12.5A (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 14A, 10V 7.8mOhm @ 14.5A, 10V 7.2mOhm @ 14.5A, 10V 8mOhm @ 14A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V ±25V ±25V ±12V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5070 pF @ 15 V 4700 pF @ 15 V 4480 pF @ 15 V 5070 pF @ 15 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

FDS6672A Datenblatt PDF

Laden Sie FDS6672A PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS6672A - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FDS6672A.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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