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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDS6681Z
FDS6681Z Image
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FDS6681Z - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS6681Z
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS6681Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS6681Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 34069

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Anzahl

Spezifikation

FDS6681Z Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS6681Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS6681Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7540 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta)  
Grundproduktnummer FDS6681  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS6681Z.

Produkteigenschaften FDS6681Z FDS6682 FDS6681Z FDS6685
Artikelnummer FDS6681Z FDS6682 FDS6681Z FDS6685
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 1W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 20A, 10V 7.5mOhm @ 14A, 10V 4.6mOhm @ 20A, 10V 20mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs (Max) ±25V ±20V ±25V ±25V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V 31 nC @ 5 V 260 nC @ 10 V 24 nC @ 5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Grundproduktnummer FDS6681 - - FDS66
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7540 pF @ 15 V 2310 pF @ 15 V 7540 pF @ 15 V 1604 pF @ 15 V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta) 14A (Ta) 20A (Ta) 8.8A (Ta)

FDS6681Z Datenblatt PDF

Laden Sie FDS6681Z PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS6681Z - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Sourcing Chg 21/Mar/2018.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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