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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDS6812A
FDS6812A Image
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FDS6812A - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS6812A
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS6812A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS6812A.pdf
vorrätig: 3610

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Anzahl

Spezifikation

FDS6812A Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS6812A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS6812A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6.7A, 4.5V  
Leistung - max 900mW  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1082pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.7A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDS68  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS6812A.

Produkteigenschaften FDS6812A FDS6875 FDS6812A FDS6875
Artikelnummer FDS6812A FDS6875 FDS6812A FDS6875
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 900mW 900mW 900mW 900mW
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 4.5V 31nC @ 5V 19nC @ 4.5V 31nC @ 5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.7A 6A 6.7A 6A
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Grundproduktnummer FDS68 FDS68 FDS68 FDS68
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1082pF @ 10V 2250pF @ 10V 1082pF @ 10V 2250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6.7A, 4.5V 30mOhm @ 6A, 4.5V 22mOhm @ 6.7A, 4.5V 30mOhm @ 6A, 4.5V

FDS6812A Datenblatt PDF

Laden Sie FDS6812A PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS6812A - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FDS6812A.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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