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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDS6961A
FDS6961A Image
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FDS6961A - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS6961A
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS6961A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS6961A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3970

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Anzahl

Spezifikation

FDS6961A Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS6961A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS6961A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.5A, 10V  
Leistung - max 900mW  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDS69  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS6961A.

Produkteigenschaften FDS6961A FDS6975 FDS6961A FDS6930B
Artikelnummer FDS6961A FDS6975 FDS6961A FDS6930B
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A 6A 3.5A 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.5A, 10V 32mOhm @ 6A, 10V 90mOhm @ 3.5A, 10V 38mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 5V 20nC @ 5V 4nC @ 5V 3.8nC @ 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer FDS69 FDS69 FDS69 FDS6930
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 15V 1540pF @ 15V 220pF @ 15V 412pF @ 15V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Leistung - max 900mW 900mW 900mW 900mW

FDS6961A Datenblatt PDF

Laden Sie FDS6961A PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS6961A - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 17/Aug/2020.pdf Mult Dev EOL 14/Jan/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Korea Fab Site Add 3/Jan/2017.pdf
Datenblätter
FDS6961A.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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