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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDS7066ASN3
FDS7066ASN3 Image
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FDS7066ASN3 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS7066ASN3
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS7066ASN3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Datenblatt
FDS7066ASN3.pdf
vorrätig: 5380

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Anzahl

Spezifikation

FDS7066ASN3 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS7066ASN3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS7066ASN3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO FLMP  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 19A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2460 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Ta)  
Grundproduktnummer FDS70  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS7066ASN3.

Produkteigenschaften FDS7066ASN3 FDS7066N7 FDS7064N7 FDS7079ZN3
Artikelnummer FDS7066ASN3 FDS7066N7 FDS7064N7 FDS7079ZN3
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±16V ±12V ±25V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Ta) 23A (Ta) 16.5A (Ta) 16A (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2460 pF @ 15 V 4973 pF @ 15 V 3355 pF @ 15 V 3630 pF @ 15 V
Verlustleistung (max) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta) 3.13W (Ta)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 19A, 10V 4.5mOhm @ 23A, 10V 7mOhm @ 16.5A, 4.5V 7.5mOhm @ 16A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V 4.5V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer FDS70 FDS70 - FDS70
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V 69 nC @ 5 V 48 nC @ 4.5 V 55 nC @ 5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO FLMP 8-SO FLMP 8-SO 8-SO FLMP
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -

FDS7066ASN3 Datenblatt PDF

Laden Sie FDS7066ASN3 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS7066ASN3 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 03/Dec/2009.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mold Compound 27/March/2008.pdf
Datenblätter
FDS7066ASN3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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